ON Semiconductor 2SD1816S-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

基本部件号

2SD1816

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

130MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 200mA, 2A

最高频率

180MHz

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

2.3mm

长度

6.5mm

宽度

5.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅