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2SK3482-AZ备选型号: IRLU3110ZPBF
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- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- JESD-609代码
- 终端
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-25116 WeeksTinTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3SILICON36A Ta2006Bulk150°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95SINGLE260未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING33m Ω @ 18A, 10V3600pF @ 10V72nC @ 10V10ns100V±20V6 ns36A20V0.039Ohm100VROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK12 Weeks-TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3SILICON33 ns2006Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99--26030---增强型MOSFETDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 38A, 10V3980pF @ 25V48nC @ 4.5V110ns-±16V48 ns42A16V--ROHS3 Compliant2.5V @ 100μAHEXFET®e3通孔Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSingle140W2.5V100V250A100V2.5 V2.3mm6.6mm6.1mm无无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFU540Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N CH 100V 35A IPAK | 对比 |
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK | 对比 |
| IRFU2607ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK | 对比 |
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