Infineon Technologies IRFU2607ZPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

功率耗散

110W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

上升时间

59ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

反向恢复时间

30 ns

连续放电电流(ID)

45A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

恢复时间

27 ns

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅