Renesas Electronics America 2SK3482-AZ
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2SK3482-AZ
2038-2SK3482-AZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
1最小包装量--
2SK3482-AZ详情
Renesas Electronics America 2SK3482-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
68 ns
Power Dissipation (Max)
1W Ta 50W Tc
Number of Elements
1
已出版
2006
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 18A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3600pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
36A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.039Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SK3482-AZ拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas
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