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2SK4066-1E备选型号: IPI020N06NAKSA1
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 配置
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-262 Magazine4 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3100A Ta150°C TJTube2007e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)Single11.65W80 nsN-Channel4.7m Ω @ 50A, 10V12500pF @ 20V220nC @ 10V630ns60V±20V750 ns100A20V符合RoHS标准无铅-------------------
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-312 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA329A Ta 120A Tc-55°C~175°C TJBulk2008e3noObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-214W24 nsN-Channel2m Ω @ 100A, 10V7800pF @ 30V106nC @ 10V45ns-±20V19 ns120A20VROHS3 Compliant含铅SILICONOptiMOS™38541.29.00.95SINGLE未说明not_compliant未说明3增强型MOSFETSWITCHING2.8V @ 143μA无卤素60V29A0.002Ohm60V480A420 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STFI260N6F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP | 对比 |
| IPI020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 | 对比 |
 | IPI90N06S4L04AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | 对比 |
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