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首页 全部分类 3LP01S-TL-E vs PMGD8000LN,115

3LP01S-TL-E备选型号: PMGD8000LN,115

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    3LP01S-TL-E
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    3
    SILICON
    100mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    24 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    10.4 Ω @ 50mA, 4V
    7.5pF @ 10V
    1.43nC @ 10V
    55ns
    30V
    ±10V
    130 ns
    100mA
    10V
    0.1A
    -30V
    750μm
    1.6mm
    800μm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD8000LN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
    -
    -
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    -
    SILICON
    125mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    8541.21.00.95
    -
    鸥翼
    6
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    18.5pF @ 5V
    0.35nC @ 4.5V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    0.125A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    200mW
    1.5V @ 100μA
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.2W
    逻辑电平门
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