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5LN01M-TL-H备选型号: DMN53D0U-7
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 电容量
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 50V 100MA SC596 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2011e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single150mW18 nsN-Channel7.8 Ω @ 50mA, 4V无卤素6.6pF @ 10V1.57nC @ 10V42ns±10V105 ns100mA10V0.1A50V无符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT2322 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-300mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-Single-2.1 nsN-Channel2 Ω @ 50mA, 5V-37.1pF @ 25V0.6nC @ 4.5V2.8ns±12V14 ns300mA12V0.3A50V-ROHS3 Compliant-7.994566mgSILICON3HIGH RELIABILITY50pFDUAL鸥翼26030R-PDSO-G31增强型MOSFETSWITCHING1V @ 250μA3Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | 对比 |
| 2N7002H-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 | 对比 |
| 2N7002H-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 | 对比 |
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