Diodes Incorporated DMN53D0U-7

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

520mW Ta

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

HIGH RELIABILITY

电容量

50pF

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

37.1pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 4.5V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

300mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant