70P255L65BYGI备选型号: 70P249L65BYGI

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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
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  • 引脚数量
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  • 输出特性
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  • 密度
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  • I/O类型
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Low Power Dual-Port RAM IC
    16 Weeks
    TFBGA
    YES
    100
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2011
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    1.8V
    0.5mm
    30
    100
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3V
    1.8V
    16kB
    2
    0.07mA
    65 ns
    8KX16
    3-STATE
    26b
    128 kb
    0.000008A
    COMMON
    6mm
    6mm
    1mm
    符合RoHS标准
    无铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Low Power Dual-Port RAM IC
    16 Weeks
    TFBGA
    YES
    100
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2008
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    2.6V
    0.5mm
    30
    100
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3V
    1.8V
    8kB
    2
    0.07mA
    65 ns
    4KX16
    3-STATE
    24b
    64 kb
    0.000006A
    COMMON
    6mm
    6mm
    1mm
    符合RoHS标准
    无铅
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