70P255L65BYGI备选型号: 70P249L65BYGI
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 访问时间
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- SRAM Low Power Dual-Port RAM IC16 WeeksTFBGAYES100RAM, SDR, SRAMBulk2011e1yes活跃3 (168 Hours)100EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)85°C-40°CBOTTOMBALL26011.8V0.5mm30100INDUSTRIALParallel3V1.8V16kB20.07mA65 ns8KX163-STATE26b128 kb0.000008ACOMMON6mm6mm1mm无符合RoHS标准无铅
- SRAM Low Power Dual-Port RAM IC16 WeeksTFBGAYES100RAM, SDR, SRAMBulk2008e1yes活跃3 (168 Hours)100EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)85°C-40°CBOTTOMBALL26012.6V0.5mm30100INDUSTRIALParallel3V1.8V8kB20.07mA65 ns4KX163-STATE24b64 kb0.000006ACOMMON6mm6mm1mm无符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S32400F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA | 对比 | |
![]() | 70P249L65BYGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TFBGA | SRAM Low Power Dual-Port RAM IC | 对比 |
| IS42S32400F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 |



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