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首页 全部分类 AFT05MS006NT1 vs IRLML6344TRPBF

AFT05MS006NT1备选型号: IRLML6344TRPBF

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  • 测试电流
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  • 电压-测试
  • RoHS状态
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    AFT05MS006NT1
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
    10 Weeks
    PLD-1.5W
    30V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    260
    520MHz
    40
    100mA
    LDMOS
    18.3dB
    6W
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6344TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    5A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    260
    -
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    3
    37MOhm
    DUAL
    鸥翼
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    650pF @ 25V
    6.8nC @ 4.5V
    5.6ns
    ±12V
    9.1 ns
    5A
    800mV
    12V
    5A
    30V
    15 ns
    150°C
    800 mV
    1.12mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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