NXP USA Inc. AFT05MS006NT1
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AFT05MS006NT1
1786-AFT05MS006NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5W
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
--最小包装量--
AFT05MS006NT1详情
NXP USA Inc. AFT05MS006NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5W
Voltage Rated
30V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
520MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
100mA
晶体管类型
LDMOS
增益
18.3dB
功率 - 输出
6W
电压-测试
7.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFT05MS006NT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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