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首页 全部分类 AFT09MS007NT1 vs IRLHS6376TRPBF

AFT09MS007NT1备选型号: IRLHS6376TRPBF

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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    AFT09MS007NT1
    NXP USA Inc.
    FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    10 Weeks
    PLD-1.5W
    YES
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.40
    260
    870MHz
    40
    Single
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15.2dB
    7.3W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    182W
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6376TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    6-VDFN Exposed Pad
    -
    2
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    6
    1.5W
    IRLHS6376
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    4.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    63m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    270pF @ 25V
    2.8nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    9.4 ns
    3.6A
    800mV
    12V
    3.4A
    0.082Ohm
    30V
    逻辑电平门
    800 mV
    无SVHC
    无
    无铅
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