NXP USA Inc. AFT09MS007NT1
- 收藏
- 对比
AFT09MS007NT1
1786-AFT09MS007NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5W
大陆
立即发货

FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
--最小包装量--
AFT09MS007NT1详情
NXP USA Inc. AFT09MS007NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5W
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
30V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.40
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
870MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
配置
Single
测试电流
100mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
15.2dB
功率 - 输出
7.3W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
182W
电压-测试
7.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFT09MS007NT1拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.











哦! 它是空的。