AFT09MS007NT1
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NXP USA Inc. AFT09MS007NT1

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型号

AFT09MS007NT1

utmel 编号

1786-AFT09MS007NT1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

PLD-1.5W

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

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AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

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AFT09MS007NT1详情

NXP USA Inc. AFT09MS007NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    PLD-1.5W

  • 表面安装

    YES

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Voltage Rated

    30V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.40

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 频率

    870MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 配置

    Single

  • 测试电流

    100mA

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    15.2dB

  • 功率 - 输出

    7.3W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    182W

  • 电压-测试

    7.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. AFT09MS007NT1.

右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & AFT09MS007NT1相似的参数规格。

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AFT09MS007NT1拓展信息

AFT05MS003NT1
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MW6S010GNR1
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MRFE6VP61K25HR6
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AFT05MS031NR1
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