Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

基本部件号

IRLHS6376

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.4 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

63m Ω @ 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

9.4 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.082Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

800 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅