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ALD212900ASAL备选型号: FW276-TL-2H
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- 最高工作温度
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V8 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SOIC80mA0°C~70°C TJTubeEPAD®, Zero Threshold™2014活跃1 (Unlimited)70°C0°C500mW500mW2 N-Channel (Dual) Matched Pair14Ohm10mV @ 20μA30pF @ 5V10.6V80mA30pF逻辑电平门14 ΩROHS3 Compliant-----------------
ON SEMICONDUCTOR FW276-TL-2HDual MOSFET, Dual N Channel, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-2150°C TJTape & Reel (TR)-2006Obsolete1 (Unlimited)--1.6W-2 N-Channel (Dual)12.1 Ω @ 350mA, 10V4.5V @ 1mA55pF @ 20V450V700mA-逻辑电平门-符合RoHS标准8e3yesEAR99Tin (Sn)未说明未说明2W7 ns3.7nC @ 10V4.5V30V1.375mm4.9mm3.9mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC | 对比 |
| FW276-TL-2H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR FW276-TL-2HDual MOSFET, Dual N Channel, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V | 对比 |
| IRF7420PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | 对比 |
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