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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.305985
10
¥5.005647
100
¥4.722305
500
¥4.455005
1000
¥4.202838
ON Semiconductor FW276-TL-2H
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- 对比
FW276-TL-2H
1807-FW276-TL-2H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR FW276-TL-2HDual MOSFET, Dual N Channel, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FW276-TL-2H详情
ON Semiconductor FW276-TL-2H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.6W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率耗散
2W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.1 Ω @ 350mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
55pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.7nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
450V
连续放电电流(ID)
700mA
阈值电压
4.5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.375mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FW276-TL-2H拓展信息









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