ALD212914SAL备选型号: IRF7420PBF

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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 操作温度
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOIC
    84.99187mg
    80mA
    Tube
    EPAD®, Zero Threshold™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    500mW
    2
    Dual
    10 ns
    500mW
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    20mV @ 10μA
    10.6V
    80mA
    10.6V
    10V
    逻辑电平门
    14Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    11.5A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    8.8 ns
    -
    P-Channel
    900mV @ 250μA
    12V
    -11.5A
    8V
    -12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    -55°C~150°C TJ
    14MOhm
    -12V
    -11.5A
    2.5W
    14m Ω @ 11.5A, 4.5V
    3529pF @ 10V
    38nC @ 4.5V
    8.8ns
    ±8V
    225 ns
    -900mV
    -12V
    -900 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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