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AO3419备选型号: DMN2046U-7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT2318 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON3.5A Ta1.4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET1.4W11 nsP-ChannelSWITCHING85m Ω @ 3.5A, 10V400pF @ 10V4.4nC @ 4.5V20V±12V-3.5A-500mV12V0.075Ohm-20V150°C1.25mm无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON3.4A Ta1.4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING72m Ω @ 3.6A, 4.5V292pF @ 10V3.8nC @ 4.5V20V±12V3.4A--0.072Ohm----ROHS3 Compliant-e3Matte Tin (Sn)未说明未说明R-PDSO-G320V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2046U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 | 对比 |
 | CPH3350-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES | 对比 |
 | IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 对比 |
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