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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.856293
10
¥0.807823
100
¥0.762098
500
¥0.71896
1000
¥0.678264
Diodes Incorporated DMN2046U-7
- 收藏
- 对比
DMN2046U-7
671-DMN2046U-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2046U-7详情
Diodes Incorporated DMN2046U-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
760mW Ta
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A Ta
已出版
2015
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
72m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
292pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.8nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
3.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.072Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2046U-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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