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首页 全部分类 AO4430 vs IRF7862TRPBF

AO4430备选型号: IRF7862TRPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO4430
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3W
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 18A, 10V
    7270pF @ 15V
    124nC @ 10V
    30V
    ±20V
    18A
    20V
    0.0055Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7862TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    2.35V @ 100μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 20A, 10V
    4090pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    21A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    EAR99
    3.3MOhm
    未说明
    未说明
    16 ns
    19ns
    11 ns
    30V
    350 mJ
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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