AOD5N40备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 400V 4.2A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6334.2A Tc-50°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)N-Channel1.6 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 250μA400pF @ 25V8.5nC @ 10V400V±30V4.2AROHS3 Compliant----------------
- On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA118 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.1A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃3 (168 Hours)N-Channel1.4 Ω @ 900mA, 13V3.5V @ 70μA178pF @ 100V8.2nC @ 10V500V±20V3.1AROHS3 CompliantCoolMOS™ CEe3yesEAR99Tin (Sn)not_compliantSingle25W6.5 ns6ns30 ns30V550V2.41mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |



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