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AOD7N65备选型号: IPD65R1K4C6ATMA1

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包装
已出版
零件状态
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功率耗散
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
RoHS状态
无铅
供应商器件包装
系列

AOD7N65

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET N-CH 650V 7A TO252

18 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
7A Tc
-50°C~150°C TJ
Digi-Reel®
2011
活跃
1 (Unlimited)
178W
N-Channel
1.56 Ω @ 3.5A, 10V
4.5V @ 250μA
1180pF @ 25V
24nC @ 10V
650V
±30V
7A
30V
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
IPD65R1K4C6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3

12 Weeks
-
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3.2A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2008
不用于新设计
1 (Unlimited)
-
N-Channel
1.4Ohm @ 1A, 10V
3.5V @ 100μA
225pF @ 100V
10.5nC @ 10V
650V
±20V
-
-
ROHS3 Compliant
-
PG-TO252-3
CoolMOS™ C6
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