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AON2406备选型号: DMN2014LHAB-7
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN18 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad8A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®2011活跃1 (Unlimited)N-Channel12.5m Ω @ 8A, 4.5V1V @ 250μA1140pF @ 10V18nC @ 4.5V20V±8V8AROHS3 Compliant---------------
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)2 N-Channel (Dual) Common Drain13m Ω @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V16nC @ 4.5V20V-9.3AROHS3 Compliant7e4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)800mW260306.9 ns15.5ns12 ns12V逻辑电平门600μm3.05mm2.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SSM6J501NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-WDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B | 对比 |
 | DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | 对比 |
 | DMP2018LFK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN | 对比 |
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