AON3611备选型号: NTHS4501NT1G
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
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- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead85A 6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)2.5W增强型MOSFET2.1W 2.5WN and P-Channel, Common Drain50m Ω @ 5A, 10V2.5V @ 250μA170pF @ 15V10nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL6A6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant-------------------------
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET-表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead84.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006Obsolete1 (Unlimited)-增强型MOSFET-N-Channel38m Ω @ 4.9A, 10V2V @ 250μA462pF @ 24V9.1nC @ 10V--6.7A---符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)SILICONe3yes8EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容30VDUALC 弯管2604.9A408不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1.3WSWITCHING11ns±20V11 ns20V30V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS4501NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | 对比 |
| RP1E050RPTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SMD/SMT | MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 | 对比 | |
![]() | NTHS4501NT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | 对比 |



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