AOT20S60L备选型号: STP24NM60N

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    aMOS™
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 10A, 10V
    4.1V @ 250μA
    1038pF @ 100V
    19.8nC @ 10V
    600V
    ±30V
    20A
    TO-220AB
    30V
    80A
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    N-Channel 600 V 190 mOhm Flange Mount MDmesh? II Power Mosfet - TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    600V
    ±30V
    17A
    TO-220AB
    30V
    68A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    e3
    EAR99
    190MOhm
    Tin (Sn)
    STP24N
    3
    Single
    120W
    DRAIN
    11.5 ns
    16.5ns
    37 ns
    3V
    650V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
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