Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

151W Tc

Turn Off Delay Time

112 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 7.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 730μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

20.2A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.19Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

雪崩能量等级（Eas）

485 mJ

高度

15.95mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅