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APT11N80BC3G备选型号: STW18N60M2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)24 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013gSILICON11A Tc-55°C~150°C TJTube1997e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜雪崩 额定800VSINGLE未说明11A未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET156WDRAIN25 nsN-Channel450m Ω @ 7.1A, 10V3.9V @ 680μA1585pF @ 25V60nC @ 10V15ns±20V7 ns11ATO-247AD20V0.45Ohm33A470 mJ5.31mm21.46mm16.26mm符合RoHS标准无铅------
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-247-3-SILICON13A Tc-55°C~150°C TJTube---活跃1 (Unlimited)3---SINGLE----R-PSFM-T3-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-Channel280m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA791pF @ 100V21.5nC @ 10V-±25V-13A--0.28Ohm52A135 mJ---ROHS3 Compliant无铅MDmesh™ II PlusEAR99STW18NSWITCHING600V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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