Microsemi Corporation APT11N80BC3G

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 7.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 680μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1585pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

33A

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅