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首页 全部分类 APT12057B2LLG vs SCT20N120

APT12057B2LLG备选型号: SCT20N120

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  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT12057B2LLG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    31 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    570m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 2.5mA
    6200pF @ 25V
    290nC @ 10V
    1200V
    ±30V
    22A
    0.57Ohm
    88A
    1200V
    3000 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    SCT20N120
    STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    290m Ω @ 10A, 20V
    3.5V @ 1mA
    650pF @ 400V
    45nC @ 20V
    1200V
    +25V, -10V
    20A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    38.000013g
    EAR99
    未说明
    未说明
    SCT20
    1
    Single
    10 ns
    16ns
    17 ns
    25V
    1.2kV
    无铅
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