ROHM Semiconductor SCT3040KLGC11
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SCT3040KLGC11
2078-SCT3040KLGC11
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N
--最小包装量--
SCT3040KLGC11详情
ROHM Semiconductor SCT3040KLGC11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
21 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
55A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
262W Tc
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
52m Ω @ 20A, 18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1337pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
107nC @ 18V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+22V, -4V
连续放电电流(ID)
55A
漏极-源极导通最大电阻
0.052Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
137A
DS 击穿电压-最小值
1200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SCT3040KLGC11拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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