您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APT150GN60J vs APT65GP60J

APT150GN60J备选型号: APT65GP60J

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
    600V
    536W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    220A
    4
    Single
    ISOLATED
    44 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    220A
    25μA
    9.2nF
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    9.2nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT65GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    2 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    SILICON
    600V
    -
    -55°C~150°C TJ
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    431W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    130A
    4
    Single
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    130A
    1mA
    7.4nF
    84 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    219 ns
    PT
    无
    20V
    7.4nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)
    POWER MOS 7®
    6V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比
IXXN200N60B3 IXXN200N60B3 IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT 对比
APT65GP60J APT65GP60J Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP 对比