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首页 全部分类 APT200GN60B2G vs IRGPS46160DPBF

APT200GN60B2G备选型号: IRGPS46160DPBF

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  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60B2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 283A 682W TO247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    682W
    3
    Single
    Standard
    50 ns
    682W
    N-CHANNEL
    600V
    283A
    TO-247AC
    1.85V @ 15V, 200A
    沟渠现场停车
    1180nC
    600A
    50ns/560ns
    13mJ (on), 11mJ (off)
    20V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGPS46160DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 240A 750W SUPER247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    750W
    -
    Single
    Standard
    -
    750W
    -
    2.05V
    240A
    -
    2.05V @ 15V, 120A
    -
    240nC
    360A
    80ns/190ns
    5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    38.000013g
    1.7V
    未说明
    未说明
    130 ns
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
    无SVHC
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