Microsemi Corporation APT200GN60B2G
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APT200GN60B2G
1619-APT200GN60B2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 283A 682W TO247
--最小包装量--
APT200GN60B2G详情
Microsemi Corporation APT200GN60B2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 200A, 1 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
560 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
1999
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
682W
引脚数量
3
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
50 ns
功率 - 最大
682W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
283A
JEDEC-95代码
TO-247AC
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 200A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
1180nC
集极脉冲电流(Icm)
600A
Td(开/关)@25°C
50ns/560ns
开关能量
13mJ (on), 11mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT200GN60B2G拓展信息
Microsemi Corporation
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