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首页 全部分类 APT200GN60B2G vs IXGH48N60B3D1

APT200GN60B2G备选型号: IXGH48N60B3D1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60B2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 283A 682W TO247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    682W
    3
    Single
    Standard
    50 ns
    682W
    N-CHANNEL
    600V
    283A
    TO-247AC
    1.85V @ 15V, 200A
    沟渠现场停车
    1180nC
    600A
    50ns/560ns
    13mJ (on), 11mJ (off)
    20V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH48N60B3D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    300W
    3
    Single
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    600V
    280A
    TO-247AD
    1.8V @ 15V, 32A
    PT
    115nC
    -
    22ns/130ns
    840μJ (on), 660μJ (off)
    20V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.500007g
    SILICON
    1.8V
    GenX3™
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    未说明
    未说明
    IXG*48N60
    R-PSFM-T3
    不合格
    300W
    COLLECTOR
    电源控制
    100ns
    44 ns
    347 ns
    200ns
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