APT20M38SVRG/TR备选型号: AUIRFS4127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK33 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD3Pak67A Tc4V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)POWER MOS V®1999活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel38mOhm @ 33.5A, 10V6120pF @ 25V225nC @ 10V200V±30V67A6.12nF38 mΩ符合RoHS标准-----------------
- MOSFET NCH 200V 72A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-72A Tc5V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2015活跃1 (Unlimited)--N-Channel22m Ω @ 44A, 10V5380pF @ 50V150nC @ 10V200V±20V72A--ROHS3 Compliant3SILICON2EAR99FAST SWITCHING, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET375mWDRAINSWITCHING20V0.022Ohm200V250 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS4127 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | 对比 |




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