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APT20M38SVRG/TR备选型号: IPB117N20NFDATMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK33 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD3Pak67A Tc4V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)POWER MOS V®1999活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel38mOhm @ 33.5A, 10V6120pF @ 25V225nC @ 10V200V±30V67A6.12nF38 mΩ符合RoHS标准----------------------------
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-300W Tc4V @ 270μA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)--N-Channel11.7m Ω @ 84A, 10V6650pF @ 100V87nC @ 10V-±20V84A--ROHS3 Compliant31.946308gSILICONe32EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET300WDRAIN13 ns无卤素10ns8 ns3V20V200V200V175°C4.82mm无SVHC含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS4127 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | 对比 |
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