APT20M38SVRG/TR备选型号: IRFS52N15DTRLP
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK33 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD3Pak67A Tc4V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)POWER MOS V®1999活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel38mOhm @ 33.5A, 10V6120pF @ 25V225nC @ 10V200V±30V67A6.12nF38 mΩ符合RoHS标准------------------------
- MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-51A Tc5V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)--N-Channel32m Ω @ 36A, 10V2770pF @ 25V89nC @ 10V-±30V60A--ROHS3 Compliant3SILICONyes2SMD/SMT鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.8WDRAIN16 nsSWITCHING47ns25 ns30V150V240A150V470 mJ5 V无SVHC无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS4127 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | 对比 |




哦! 它是空的。