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首页 全部分类 APT25GP90BDQ1G vs APT43GA90BD30

APT25GP90BDQ1G备选型号: APT43GA90BD30

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APT25GP90BDQ1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247 [B]
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    900V
    417W
    72A
    Single
    Standard
    417W
    900V
    72A
    900V
    3.9V @ 15V, 25A
    PT
    110nC
    110A
    13ns/55ns
    370μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT43GA90BD30
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 78A 337W TO247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    337W
    -
    Single
    Standard
    -
    900V
    78A
    -
    3.1V @ 15V, 47A
    PT
    116nC
    129A
    12ns/82ns
    875μJ (on), 425μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    38.000013g
    SILICON
    2.5V
    yes
    3
    EAR99
    Pure Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    3
    R-PSFM-T3
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    28 ns
    78A
    246 ns
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
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