Microsemi Corporation APT25GP90BDQ1G

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247 [B]

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900V

Current-Collector (Ic) (Max)

72A

Test Conditions

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

900V

最大功率耗散

417W

额定电流

72A

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

417W

集电极发射器电压(VCEO)

900V

最大集电极电流

72A

电压 - 集射极击穿（最大值）

900V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 25A

IGBT类型

PT

闸门收费

110nC

集极脉冲电流（Icm）

110A

Td（开/关）@25°C

13ns/55ns

开关能量

370μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅