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首页 全部分类 APT25GR120B vs IHW30N120R3FKSA1

APT25GR120B备选型号: IHW30N120R3FKSA1

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Microsemi Corporation
    APT25GR120B
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    521W
    Single
    Standard
    16 ns
    521W
    N-CHANNEL
    3.2V
    75A
    1200V
    3.2V @ 15V, 25A
    NPT
    203nC
    100A
    16ns/122ns
    742μJ (on), 427μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IHW30N120R3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin TO-247 Tube
    14 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    349W
    Single
    Standard
    -
    349W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    1.75V @ 15V, 30A
    -
    263nC
    90A
    -/326ns
    1.47mJ (off)
    20V
    6.4V
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    TrenchStop®
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
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