APT25GR120B备选型号: NGTB40N120FL2WG
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-24718 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-55°C~150°C TJBulk2001活跃1 (Unlimited)521WSingleStandard16 ns521WN-CHANNEL3.2V75A1200V3.2V @ 15V, 25ANPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V符合RoHS标准无铅--------------
- IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII13 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-55°C~175°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)535WSingleStandard-535WN-CHANNEL1.2kV80A1200V2.4V @ 15V, 40A沟渠现场停车313nC200A116ns/286ns3.4mJ (on), 1.1mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)36.500007g2Ve3yesEAR99Tin (Sn)3240 ns21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII | 对比 | |
![]() | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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