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首页 全部分类 APT25GR120B vs STGW30NC120HD

APT25GR120B备选型号: STGW30NC120HD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 质量
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APT25GR120B
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    521W
    Single
    Standard
    16 ns
    521W
    N-CHANNEL
    3.2V
    75A
    1200V
    3.2V @ 15V, 25A
    NPT
    203nC
    100A
    16ns/122ns
    742μJ (on), 427μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    220W
    Single
    Standard
    29 ns
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    2.75V @ 15V, 20A
    -
    110nC
    -
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    38.000013g
    SILICON
    2.75V
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.2kV
    30A
    STGW30
    3
    220W
    电源控制
    11ns
    152ns
    41 ns
    30A
    928 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
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