APT25GR120B备选型号: IHW40N120R3FKSA1
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- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-24718 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-55°C~150°C TJBulk2001活跃1 (Unlimited)521WSingleStandard16 ns521WN-CHANNEL3.2V75A1200V3.2V @ 15V, 25ANPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V符合RoHS标准无铅--------
- IGBT 1200V 80A 429W TO247-314 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-40°C~175°C TJTube2008Obsolete1 (Unlimited)429WSingleStandard-429WN-CHANNEL1.2kV80A1200V1.75V @ 15V, 40ATrench335nC120A-/336ns2.02mJ (off)20V6.4V符合RoHS标准无铅3TrenchStop®e3yesEAR99Tin (Sn)未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII | 对比 | |
![]() | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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