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首页 全部分类 APT25GR120S vs IXA12IF1200TC

APT25GR120S备选型号: IXA12IF1200TC

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 引脚数
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT25GR120S
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
    19 Weeks
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    表面贴装
    表面贴装
    1.2kV
    2001
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    521W
    Standard
    521W
    N-CHANNEL
    3.2V
    75A
    1200V
    3.2V @ 15V, 25A
    NPT
    203nC
    100A
    16ns/122ns
    742μJ (on), 427μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA12IF1200TC
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins
    -
    TO-268-3
    -
    表面贴装
    1.2kV
    -
    -
    -
    -
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    N-CHANNEL
    2.1V
    20A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20V
    6.5V
    符合RoHS标准
    -
    3
    1.8V
    e3
    yes
    2
    PURE TIN
    150°C
    -55°C
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    85W
    电源控制
    350 ns
    TO-268AA
    110 ns
    350 ns
    5.1mm
    16.05mm
    14mm
    无SVHC
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