APT25GR120S备选型号: IXGT72N60A3
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- ECCN 代码
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK19 WeeksTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA表面贴装表面贴装1.2kV2001Bulk-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99521WStandard521WN-CHANNEL3.2V75A1200V3.2V @ 15V, 25ANPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V符合RoHS标准无铅---------------------
- IGBT 600V 75A 540W TO26826 WeeksTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA表面贴装表面贴装600V2008Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-540WStandard540WN-CHANNEL1.35V75A-1.35V @ 15V, 60APT230nC400A31ns/320ns1.38mJ (on), 3.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant-SILICONGenX3™, XPT™e3yes2Matte Tin (Sn)低导通损耗SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明IXG*72N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTOR电源控制61 ns885 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK | 对比 |
![]() | IXGT72N60A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 540W TO268 | 对比 |
![]() | IXA12IF1200TC | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | 对比 |





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