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APT27ZTR-G1备选型号: APT27HZTR-G1
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 极性
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 基本部件号
Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92453.59237mg450V500mV-55°C~150°C TJTape & Box (TB)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°C800mWNPNSingle800mWNPN500mV800mA15 @ 100mA 10V10μA500mV @ 40mA, 200mA450V450V9V800mAROHS3 Compliant--- Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92453.59237mg450V500mV-55°C~150°C TJTape & Box (TB)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°C800mWNPNSingle800mWNPN500mV800mA6 @ 300mA 10V10μA500mV @ 40mA, 200mA450V450V9V800mAROHS3 Compliant15 WeeksAPT27
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSC2310YBU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TRANS NPN 150V 0.05A TO-92L | 对比 |
| APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | 对比 |
 | KSC2330RTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TRANS NPN 300V 0.1A TO-92L | 对比 |
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