ON Semiconductor KSC2330RTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

引脚数

3

质量

185mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

1W

额定电流

100mA

频率

50MHz

基本部件号

KSC2330

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

50MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅