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首页 全部分类 APT30GN60BDQ2G vs STGW30NC60KD

APT30GN60BDQ2G备选型号: STGW30NC60KD

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT30GN60BDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 63A 203W TO247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    203W
    63A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    63A
    26 ns
    1.9V @ 15V, 30A
    255 ns
    沟渠现场停车
    165nC
    90A
    12ns/155ns
    525μJ (on), 700μJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 200W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    200W
    -
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    41 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    290 ns
    -
    96nC
    125A
    29ns/120ns
    350μJ (on), 435μJ (off)
    20V
    6.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    PowerMESH™
    超快
    STGW30
    29 ns
    200W
    40 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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