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首页 全部分类 APT33GF120LRDQ2G vs FGL35N120FTDTU

APT33GF120LRDQ2G备选型号: FGL35N120FTDTU

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  • 闸门收费
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
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  • 质量
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  • 功率 - 最大
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  • 高度
  • 长度
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  • Microsemi Corporation
    APT33GF120LRDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 64A 357W TO264
    38 Weeks
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    SILICON
    1.2kV
    1999
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.2kV
    357W
    64A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    1200V
    31 ns
    3V @ 15V, 25A
    355 ns
    NPT
    170nC
    75A
    14ns/185ns
    1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL35N120FTDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 70A 368W TO264
    4 Weeks
    TO-264-3, TO-264AA
    通孔
    通孔
    -
    1.2kV
    2013
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    368W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    70A
    1200V
    -
    2.2V @ 15V, 35A
    -
    沟渠现场停车
    210nC
    105A
    34ns/172ns
    2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
    25V
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    3
    6.756g
    8541.29.00.95
    368W
    337 ns
    26.4mm
    20.2mm
    5.2mm
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