Microsemi Corporation APT33GF120LRDQ2G

工厂交货时间

38 Weeks

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Test Conditions

800V, 25A, 4.3 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

1999

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

357W

额定电流

64A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

64A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

31 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

355 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

170nC

集极脉冲电流（Icm）

75A

Td（开/关）@25°C

14ns/185ns

开关能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅